碲化镓

中文名称：碲化镓

英文名称：Gallium

别名:碲化镓(II)

分子式: GaTe

 

分子量: 197.32

CAS号: 12024-14-5

质检信息

质检项目   指标值

含量，％   ≥99.99%

PSA：       0.00000

LOGP：   -0.42410

产品用途

碲化镓用作半导体材料，在电子学和光电器件领域具有重要的应用价值。加热熔化按化学计量碲和镓的混合物可制得GaTe。碲化镓中阳离子空位对晶体管性能的影响机制，并且通过抑制这种作用，获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一个重要的III-VI族半导体层状化合物材料，直接带隙约1.7eV，在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构及晶体的高度各向异性，使其在样品制备及器件加工方面存在一定的困难，目前少有关于GaTe纳米片的光电性能研究。

化学特性

碲化镓一种二元化合物，由镓和碲元素组成。它是一种半导体材料，为黑色固体，不溶于水不燃，有毒，碲化镓具有层状结构，每个镓原子与六个碲原子形成八面体配位，而每个碲原子与四个镓原子形成四面体配位。这种结构使得碲化镓具有特殊的电子结构和性质。碲化镓是一种层状半导体材料，其层与层之间的附着力较弱，因此可以通过机械剥离的方法制备出单层或多层的碲化镓材料。

碲化镓具有较高的载流子迁移率和较低的载流子散射率，这使得碲化镓在高速电子器件中具有潜力。由于碲化镓材料.的层状结构，可以通过掺杂或施加外部电场来改变其电子结构，从而实现光电调制和光电开关等功能。

制备方法

步骤一、采用垂直布里奇曼晶体生长法，将Ga:Te按物质的量比1:1进行配料，制备GaTe单晶体。步骤二、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，选取大块表面光滑无褶皱的GaTe体材料，并沿自然解理面将其分离为多块。步骤三、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离一块厚度约为6-8μm的GaTe薄片。步骤四、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离，直至胶带表面不再光亮，成功附着较为密集的数百纳米厚度的GaTe片层。

产品信息
[重量]	5g
[颜色]	黑色
危险性类别
[危险性类别]	非危险品