先河原料科技-999化工商城欢迎您 化学试剂销售咨询:0598-7509639,或加QQ339904316 微信咨询:w999gou | 请登录  |  免费注册
当前位置: 首页 > 精细化工 > 合成试剂 > 碲化镉
碲化镉

碲化镉

  • 商品货号:CdHTe CAS号1306-25-8
    商品库存: 3996 kg
  • 商品品牌:罗恩试剂
    商品重量:10克
  • 上架时间:2020-10-09
    商品点击数:12691
    累计销量:81
    危险性类别: 危险化学品
  • 市场价格:¥83.2元
    本店售价:¥64元
  • 商品总价:
  • 购买数量:
    购买此商品可使用:0 积分
  • 产品规格:




商品描述:

商品属性

 碲化镉

中文名称:碲化镉
英文名称:Cadmium telluride
分子式:CdTe
碲化镉
分子量:240.01
CAS号: 1306-25-8

质检信息
质检项目        指标值
含量:          ≥99.99%
等级                4N
规格                10克
杂质阳离子总量,%≤0.001

化学特性
碲化镉为棕黑色立方体结晶粉末,在氢气中升华,在潮湿空气中久贮会被氧化。溶于硝酸并同时分解,几乎不溶于水和其他酸类(除硝酸以外)。不溶于水和酸,在硝酸中分解。无气味。在氢气中升华,在潮湿空气中久贮会被氧化。溶于硝酸并同时分解,几乎不溶于水和除硝酸以外的其他酸类。熔点 1041℃。沸点 1130℃/760mmHg。密度 ρ(25)6.2g/mL,是一种由碲和镉构成的重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。禁带宽度1.5eV(25℃),能带构造为直接型,电子迁移率(25℃)1050cm2/(V·s),空穴迁移率(25℃)80cm2/(V·s),电子有效质量0.096,电阻率103~107Ω·cm。以高纯碲和镉为原料,脱氧后合成碲化镉,再用垂直定向结晶法或垂直区熔法生长成单晶或多晶,它是一种窄带半导体材料,随着组分x的变化,禁带宽度和其它能带参数也发生变化。其禁带宽度Eg随温度T和组分x变化有如下经验公式:Eg(T·x)=0.30+5×10-4T+(1.91-10-3T)x。窄带半导体一般都属于能带反转型半导体。对于Cdx、Hg1-xTe,在低温下,当x值较小时,它是一种半金属或禁带宽度为零的半导体。当x增大到一定值时,CdxHg1-xTe就由半金属转变成窄带半导体,产生了能Chemicalbook带反转(77K,x=0.15时),此时电子有效质量变小,电子迁移率增大,从而引起许多物理性质的变化。用碲镉汞制作的红外探测器具有良好的特性,特别是在波长为8~14μm的大气窗口附近,其灵敏度很高,因此它作为良好的激光接收材料而得到了较快的发展。由于碲镉汞是由熔点较高的Ⅱ-Ⅵ族化合物组成.在高温下、镉、汞、碲元素的蒸汽压都很高,因此从熔体中生长的碲镉汞晶体中常常产生严重的组分偏离而影响材料和器件的性能。
主要结构缺陷是填隙镉原子,它提供n型电导,而镉空位提供p型电导。用纯度为99.9999%的碲和镉按元素质量比1:1称量,并将料装入涂碳石英管内,在真空度小于4×10-4Pa下进行物料脱氧,再在真空度小于2×10-4Pa下密封石英管。然后将密封好的石英管放入合成炉内进行多晶碲化镉合成。为防止合成时镉的迅速蒸发引起炸管,升温必须缓慢进行,因为在碲化镉的熔点,镉的蒸气压为1MPa。当温度升至800℃时恒温4h,然后缓慢升温到1100℃,整个合成时间为14h。
CdTe可以通过掺入不同杂质来获取n型或p型半导体材料。当用In取代Cd的位置,便形成n型半导体。当用Cu、Ag、Au取代Cd的位置,形成p型半导体。对于CdTe单晶,1017 cm-3的掺杂浓度是可以得到的,更高浓度的掺杂以及精确控制掺杂浓度比较困难,特别是p型掺杂,杂质在CdTe晶体中的溶解度极低。
CdTe具有很高的光吸收系数(>5×105/cm),仅仅2 μm厚度的CdTe薄膜,在标准AM1.5条件下光学吸收率超过90%,最高理论转换效率高达28%。
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料是重要的半导体材料,至今难以制成大直径体单晶,许多材料多作成外延薄膜。已获重要应用的有碲化镉、硫化镉、硒化锌、硫化锌以及本族的固溶半导体材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe)等。
碲化镉
产品用途
碲化镉用作材料科学;光谱分析。也用于制作太阳能电池,红外调制器,HgxCdl-xTe衬底,红外窗场致发光器件,光电池,红外探测,X射线探测,核放射性探测器,接近可见光区的发光器件等。

生产方法
由碲、镉单质混合熔化,在氢气流中升华,或镉的亚碲酸盐或碲酸盐在氢气流中加热还原,也可由碲化钠与被醋酸酸化的醋k酸镉溶液作用,当从溶液中沉淀出时呈褐红色,干燥后几乎变成黑色,还可用碲化氢作用于镉蒸气,形成碲化镉单晶而得。

碲化镉薄膜太阳能电池特点
发电能力强
龙焱S1、S2、S4系列CdTe薄膜组件,具有较高的转化效率和出色的发电能力。在度电补贴的时代,龙焱的产品将会带给您更大的收益和回报率。
在欧洲地区,CdTe电池每年比晶硅电池多发5.4%以上电能。
转换效率高
碲化镉是一种具有高吸收系数的化合物半导体,是硅的100倍,用这种半导体做成目前实验室最高效率为22.1%。龙焱的组件经过中国计量科学研究院的测试和认证,效率超过了13%,进入了世界先进水平的行列,这意味着更低的投资成本和更高的发电效益。
温度系数低
龙焱的太阳能电池的温度系数在-0.21%/℃左右,而晶硅电池的温度系数在-0.45%/℃左右。在光照较好的地区,组件温度会达到50℃,夏天甚至会达到70℃以上。
弱光效应好
由于碲化镉是直接间隙材料,对全光谱吸收都较好,所以在清晨、傍晚等弱光条件发光效果明显优于间接带隙材料的晶硅电池。
稳定性高
CdTe太阳能电池没有本征光致衰减效应。 25年80%输出功率保证。
热斑效应小
CdTe太阳能电池的长条形子电池,有利于减少热斑效应,对提高发电能力、保证产品寿命和使用安全都有着很大优势。
破损率极小
由于CdTe组件制造过程中注意温度的精确控制,使龙焱CdTe组件的破损率极小。
色彩均匀、美观大方
组件色彩均匀、美观,整体感强,特别适合于对美观度要求较高的建筑上使用。
产品信息
[重量] 10g
[颜色] 黑色
危险性类别
[危险性类别] 危险化学品

商品标签

相关商品

相同颜色的商品

购买记录(近期成交数量0)

还没有人购买过此商品
总计 0 个记录,共 1 页。 第一页 上一页 下一页 最末页

用户评论(共0条评论)

  • 暂时还没有任何用户评论
总计 0 个记录,共 1 页。 第一页 上一页 下一页 最末页
用户名: 匿名用户
E-mail:
评价等级:
评论内容:
验证码: captcha
配送方式
货物签收
化工运输方式
售后服务
退换货原则
销售条款
购物指南
注册新会员
订购方式
购买需知
支付方式
关于我们
先河原料科技
品牌文化
经营资质
营业执照
扫999化工微信下单支付