碲化铟

中文名称: 碲化铟

英文名称：Indium telluride

别名： 碲化铟(III)，三碲化二铟

分子式: In2Te3

分子量: 612.44

CAS号： 1312-45-4

质检信息

检验项目          指标   

含量,             ≥99.999%(高纯试剂）

杂质阳离子总量,％ ≤0.001

水溶解试验 合格

PSA：            0.12000

LOGP：          -0.91740

化学特性

碲化铟又称三碲化二铟是一种四方晶结构化学物质，黑色或蓝灰色结晶物,周期表第m. Gr族元素化合物半导体，共价键结合，有离子键成分，密度5.8 g/cm3熔点667ºC。能与硝酸、卤素反应，能与浓硫酸或发烟硫酸反应生成红色溶液，空气中稳定，难溶于盐酸，可溶于硝酸。真空中加热易挥发，蒸气稳定不分解。具有强的各向异性和金属导电性质。由铟和碲直接反应制取。10K时转变为超导体。

产品用途

碲化铟用作材料科学。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3是一种N型半导体化合物，可以应用于光电转化、光电传感器、光催化、电子器件等领域。高k电介质可以有效的屏蔽二维场效应晶体管的库伦杂质散射(CI)。多层硒化铟晶体管显示出高场效应迁移率，AlO电介质可以降低库伦散射。硒化铟场效应晶体管的电学稳定性在实际应用中起着至关重要的作用，而电学稳定性体现在传输特性的滞后作用中。

制备出的被六方晶氮化硼封装在无水无氧环境中的少层InSe是高质量光学和电子传输器件材料。在室温和液氦温度下的载流子迁移率分别超过10^3 cm^(2)V^(-1)s^(-1)和10^4 cm^(2)V^(-1)s^(-1)。而且，超薄InSe由于具有宽带隙，可以允许晶体管很容易实现开/关，可被用于制作高速电子器件。由于半导体材料的光电功能（包括光吸收、发射和调制）取决于带隙大小，光致发光光谱实验表明其带隙在从块体状InSe到双层InSe转变时增加了0.5eV，超薄InSe在光电子领域的应用前景充满光明。

生产方法

通过In-Te熔融体的X射线衍射研究指出有六种二元化合物：In4Te3，InTe，In3Te4，In2Te3，In3Te5和In2Te5。在密闭的真空管中，按正确比例熔化组成元素能制得每种化合物。

本发明属于纳米功能材料技术领域,公开了一种二维碲化铟纳米片及其制得的偏振光探测器,所述碲化铟纳米片是将铟粉和碲粉混合后加热至480～520℃并保温,然后降温至460～480℃并保温,再冷却至室温,在不同温度下反应朝不同方向进行生长制得.该二维碲化铟纳米片具有低面内对称性,由其制得的偏振光探测器依次包括重掺杂硅,二氧化硅绝缘层和二维材料碲化铟纳米片,在所述二维材料碲化铟纳米片的两侧制作金属电极.由于二维材料碲化铟纳米片具有各向异性等特点,使得偏振光探测器可以探测多角度的线偏振光.

 

产品信息
[重量]	5g
[颜色]	黑色
危险性类别
[危险性类别]	非危险品